Тестовые микросхемы FeRAM по технологии SOI-0.18
26.11.3 Схемы интегральные электронные
Площадка
Резидент: НИИМЭ, АО
• Объем памяти более 1 кбит • Ресурс переключений более чем на порядок выше в сравнении с EEPROM • Быстродействие в пределах 100 нс • Напряжение питания 5 В • Размеры (ДхШ), мм – 48х48 • Вес 0,15 кг.