Пластина с кристаллами FeRAM по технологии SOI-0.25
26.11.3 Схемы интегральные электронные
Площадка
Резидент: НИИМЭ, АО
• Объем памяти более 10 кбит • Ресурс переключений более чем на порядок выше в сравнении с EEPROM • Быстродействие в пределах 100 нс • Напряжение питания 3.3 В • Размеры (ДхШ), мм – 200х200 • Вес 0,25кг